Из-за минимального количества встроенной памяти в современных устройствах пользователи не могут хранить абсолютно всю свою информацию и файлы, включая видео коллекцию, фотографии и музыку. Большинство исследователей предлагают разнообразные технологии и способы изготовления чипов памяти с большой емкостью, хотя зачастую эти способы еще не подходят для массового производства.
Группа ученых из Университета Райса разработали новую систему изготовления резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM), которая может заменить флеш-память.
Уже сегодня, технология может реализоваться в условиях комнатной температуры и при помощи современных средств, что даст возможность вендорам в ближайшее время начать массовое производство. На разработку технологии потратили пять лет. Главным материалом для производства этого типа памяти стал оксид кремния, который намного энергоэффективнее и обладает уникальной плотностью памяти.
Чипсет памяти RRAM объемом 1 ТБ получил размеры почтовой марки. Группа Университета Райса сообщила, что уже многие вендоры заинтересовались технологией и хотят ее лицензировать для начала массового производства. Точные сроки по началу производства, пока, к сожалению, не разглашаются.